Výrobca Číslo produktu:
IPC100N04S51R7ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPC100N04S51R7ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventár:
9970 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801261
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPC100N04S51R7ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
7V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.4V @ 60µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
83 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
115W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-34
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
IPC100
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
IPC100N04S51R7ATMA1DKR
IPC100N04S51R7ATMA1TR
SP001257554
IPC100N04S51R7ATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
DMT4002LPS-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
DMT4002LPS-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPL65R420E6AUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.1A THIN-PAK
IPB11N03LA
MOSFET N-CH 25V 30A TO263-3
IPD60R520CPATMA1
MOSFET N-CH 600V 6.8A TO252-3
