Výrobca Číslo produktu:
IPD031N06L3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD031N06L3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
71024 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803042
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD031N06L3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 93µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
79 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
13000 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
167W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD031
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD031N06L3G
IPD031N06L3 GTR-DG
IPD031N06L3 GDKR
IPD031N06L3 G-DG
IPD031N06L3GATMA1TR
IPD031N06L3 GCT-DG
IPD031N06L3 G
IPD031N06L3GATMA1DKR
IPD031N06L3GATMA1CT
SP000451076
IPD031N06L3 GCT
IPD031N06L3 GDKR-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD65R600E6ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252-3
IRF7477
MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
IPA65R380C6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220
