Výrobca Číslo produktu:
IPD033N06NATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD033N06NATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
2175 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803502
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD033N06NATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.3V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3400 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
107W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD033
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD033N06NATMA1DKR
448-IPD033N06NATMA1TR
IPD033N06NATMA1-DG
448-IPD033N06NATMA1CT
SP001602182
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
TK90S06N1L,LQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1014
ČÍSLO DIELU
TK90S06N1L,LQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.83
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFS52N15DTRLP
MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK
IRFS4321TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK
IPW50R350CPFKSA1
MOSFET N-CH 550V 10A TO247-3
