Výrobca Číslo produktu:
IPD038N06N3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD038N06N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
2492 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804489
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD038N06N3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8000 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
188W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD038
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD038N06N3GATMA1CT
2156-IPD038N06N3GATMA1
SP000397994
IFEINFIPD038N06N3GATMA1
IPD038N06N3GATMA1TR
IPD038N06N3GATMA1DKR
IPD038N06N3 G
IPD038N06N3 G-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF7820PBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
IPP70N10S312AKSA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
IPB60R040C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
