Výrobca Číslo produktu:
IPD048N06L3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD048N06L3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-311
Inventár:
6436 Ks Nové Originálne Na Sklade
12966855
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD048N06L3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4.8mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 58µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
50 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
8400 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
115W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-311
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD048N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD048N06L3GATMA1CT
448-IPD048N06L3GATMA1TR
448-IPD048N06L3GATMA1DKR
SP005559924
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD220N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 30A TO252-3
IPD079N06L3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
PSMN4R2-80YSEX
PSMN4R2-80YSE/SOT1023/4 LEADS
