Výrobca Číslo produktu:
IPD053N06N3GBTMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD053N06N3GBTMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
12848574
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD053N06N3GBTMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 58µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6600 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
115W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD053N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD053N06N3GBTMA1CT
IPD053N06N3 GCT-DG
IPD053N06N3 GCT
IPD053N06N3 G-DG
IPD053N06N3G
IPD053N06N3GBTMA1DKR
IPD053N06N3 GTR-DG
IPD053N06N3GBTMA1TR
IPD053N06N3 G
SP000453318
IPD053N06N3 GDKR-DG
IPD053N06N3 GDKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDD86540
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5000
ČÍSLO DIELU
FDD86540-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.95
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
FQI5N50CTU
MOSFET N-CH 500V 5A I2PAK
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
FQAF34N25
MOSFET N-CH 250V 21.7A TO3PF
