Výrobca Číslo produktu:
IPD053N06NATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD053N06NATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
6883 Ks Nové Originálne Na Sklade
12799917
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD053N06NATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
18A (Ta), 45A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.3mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 36µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2000 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD053
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD053N06NTR-DG
IPD053N06NTR
IPD053N06NXTMA1
IPD053N06NDKR-DG
IPD053N06NCT-DG
IPD053N06N-DG
SP000962138
IPD053N06NATMA1TR
IPD053N06NATMA1DKR
IPD053N06NCT
IPD053N06NDKR
IPD053N06N
2156-IPD053N06NATMA1TR
IPD053N06NATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB06N03LAT
MOSFET N-CH 25V 50A TO263-3
IAUC100N10S5L040ATMA1
MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON-34
IPA50R800CE
MOSFET N-CH 500V 5A TO220-FP
