Výrobca Číslo produktu:
IPD082N10N3GATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD082N10N3GATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
31476 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800584
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD082N10N3GATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 75µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
55 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
3980 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD082
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD082N10N3GATMA1-DG
IPD082N10N3GATMA1TR
SP001127824
IPD082N10N3GATMA1CT
IPD082N10N3GATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
IPA50R399CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO220-FP
IPC60R280E6X7SA1
MOSFET N-CH
