Výrobca Číslo produktu:
IPD10N03LA
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD10N03LA-DG
Popis:
MOSFET N-CH 25V 30A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 25 V 30A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
13063960
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD10N03LA Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
25 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
10.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1358 pF @ 15 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
52W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD10N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP000014983
IPD10N03LAT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
FDD8880
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
13967
ČÍSLO DIELU
FDD8880-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSZ900N15NS3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 13A 8TSDSON
IPD60R1K0CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 4.3A TO252-3
IPB054N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK