Výrobca Číslo produktu:
IPD25DP06NMATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD25DP06NMATMA1-DG
Popis:
MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Podrobný popis:
P-Channel 60 V 6.5A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventár:
2258 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804124
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD25DP06NMATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 270µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
420 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
28W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD25DP06
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP004987262
IPD25DP06NMATMA1-DG
448-IPD25DP06NMATMA1TR
448-IPD25DP06NMATMA1CT
448-IPD25DP06NMATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD06N03LA G
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
IPP90R1K2C3XKSA2
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-3
IRF100B201
MOSFET N-CH 100V 192A TO220AB
