Výrobca Číslo produktu:
IPD25N06S4L30ATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 29W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
16688 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805665
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD25N06S4L30ATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 8µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
16.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1220 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
29W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD25N06
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD25N06S4L30ATMA2TR
IPD25N06S4L30ATMA2-DG
2156-IPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2DKR
SP001028636
IPD25N06S4L30ATMA2CT
IFEINFIPD25N06S4L30ATMA2
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR2405TRL
MOSFET N-CH 55V 56A DPAK
IRL1404ZS
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
IPW65R045C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
