IPD350N06LGBTMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD350N06LGBTMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD350N06LGBTMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 29A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

4704 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805693
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD350N06LGBTMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
35mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 28µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
13 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
800 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
68W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD350

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IFEINFIPD350N06LGBTMA1
IPD350N06L G-DG
IPD350N06L G
IPD350N06LG
IPD350N06LGBTMA1DKR
IPD350N06LGBTMA1TR
SP000443746
2156-IPD350N06LGBTMA1
IPD350N06LGBTMA1CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IRLML5103TRPBF

MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23

infineon-technologies

IRF7807D2TR

MOSFET N-CH 30V 8.3A 8SO

infineon-technologies

IRFS7437TRLPBF

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK

infineon-technologies

IRLR3410TRLPBF

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK