Výrobca Číslo produktu:
IPD50N04S410ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50N04S410ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventár:
4918 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800930
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50N04S410ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 15µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1430 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
41W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD50N04S4-10
IPD50N04S410ATMA1DKR
SP000711466
IPD50N04S4-10-DG
IPD50N04S410ATMA1CT
IPD50N04S410ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB65R190CFDATMA1
MOSFET N-CH 650V 17.5A D2PAK
IPD50N06S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3
IPB80N06S2L11ATMA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3