Výrobca Číslo produktu:
IPD50N04S4L08ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50N04S4L08ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 46W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventár:
23056 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803699
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50N04S4L08ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 17µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2340 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
46W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD50N04S4L08ATMA1TR
2156-IPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L-08
IPD50N04S4L08ATMA1DKR
SP000711456
IPD50N04S4L-08-DG
INFINFIPD50N04S4L08ATMA1
IPD50N04S4L08ATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD25CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
IRF2907ZPBF
MOSFET N-CH 75V 160A TO220AB
IRF9317PBF
MOSFET P-CH 30V 16A 8SO