IPD50N06S2L13ATMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD50N06S2L13ATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD50N06S2L13ATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventár:

12800903
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD50N06S2L13ATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.7mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2V @ 80µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1800 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP000252172
IPD50N06S2L-13-DG
IPD50N06S2L-13
IPD50N06S2L13ATMA1TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
DMNH6012LK3Q-13
VÝROBCA
Diodes Incorporated
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2500
ČÍSLO DIELU
DMNH6012LK3Q-13-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.44
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD60NF55LT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3873
ČÍSLO DIELU
STD60NF55LT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD60NF55LAT4
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
STD60NF55LAT4-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.67
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD50N06S2L13ATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4885
ČÍSLO DIELU
IPD50N06S2L13ATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPD100N04S4L02ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

infineon-technologies

IPB033N10N5LFATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3

infineon-technologies

IPB60R180C7ATMA1

MOSFET N-CH 600V 13A TO263-3

infineon-technologies

IPD09N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3