Výrobca Číslo produktu:
IPD50N06S4L08ATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50N06S4L08ATMA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-31
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
5818 Ks Nové Originálne Na Sklade
13064031
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50N06S4L08ATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Balenie
Tape & Reel (TR)
Stav dielu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
7.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.2V @ 35µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4780 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
71W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD50N06S4L08ATMA2DKR
IPD50N06S4L08ATMA2-ND
INFINFIPD50N06S4L08ATMA2
448-IPD50N06S4L08ATMA2CT
2156-IPD50N06S4L08ATMA2
SP001028664
448-IPD50N06S4L08ATMA2TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPF09N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3
BSZ033NE2LS5ATMA1
MOSFET N-CH 25V 18A/40A TSDSON
BUZ30A
MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
