Výrobca Číslo produktu:
IPD50R2K0CEAUMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50R2K0CEAUMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
3163 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800180
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50R2K0CEAUMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.4A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
13V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2Ohm @ 600mA, 13V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 50µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
124 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
33W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50R2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD50R2K0CEAUMA1-DG
SP001396820
448-IPD50R2K0CEAUMA1TR
448-IPD50R2K0CEAUMA1DKR
2156-IPD50R2K0CEAUMA1
448-IPD50R2K0CEAUMA1CT
INFINFIPD50R2K0CEAUMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
IPB50N12S3L15ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPB120N06N G
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
