IPD50R380CEAUMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD50R380CEAUMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD50R380CEAUMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 14.1A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

22122 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800164
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD50R380CEAUMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
13V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.2A, 13V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 260µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
584 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
98W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50R

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
2156-IPD50R380CEAUMA1
ROCINFIPD50R380CEAUMA1
IPD50R380CEAUMA1CT
IPD50R380CEAUMA1DKR
SP001396790
IPD50R380CEAUMA1TR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPB70N12S3L12ATMA1

MOSFET N-CHANNEL_100+

infineon-technologies

IPB65R095C7ATMA2

MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3

infineon-technologies

IPI60R099CPXKSA1

MOSFET N-CH 600V 31A TO262-3

infineon-technologies

BTS121ANKSA1

MOSFET N-CH 100V 22A TO220-3