Výrobca Číslo produktu:
IPD50R800CEATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50R800CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
12799696
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50R800CEATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
13V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 130µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
280 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
60W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD50R800CEATMA1-DG
SP001117710
IPD50R800CEATMA1TR
IPD50R800CEATMA1CT
IPD50R800CEATMA1DKR
ROCINFIPD50R800CEATMA1
2156-IPD50R800CEATMA1-ITTR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD8NM50N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1231
ČÍSLO DIELU
STD8NM50N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.88
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD50R800CEAUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5199
ČÍSLO DIELU
IPD50R800CEAUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.23
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD50R280CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
BSC120N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 11A/39A TDSON
IPC302N15N3X7SA1
MV POWER MOS
