Výrobca Číslo produktu:
IPD50R950CEATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD50R950CEATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 4.3A (Tc) 53W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
12803305
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD50R950CEATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
CoolMOS™ CE
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
13V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
231 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
53W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD50R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD50R950CEATMA1-DG
SP001117712
IPD50R950CEATMA1CT
IPD50R950CEATMA1DKR
IPD50R950CEATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPD50R950CEAUMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4115
ČÍSLO DIELU
IPD50R950CEAUMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.18
Typ substitútu
Parametric Equivalent
ČÍSLO DIELU
SPD04N50C3ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7723
ČÍSLO DIELU
SPD04N50C3ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.57
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF1503PBF
MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB
IPS80R900P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 6A TO251-3
IPD80R3K3P7ATMA1
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3