Výrobca Číslo produktu:
IPD60N10S412ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD60N10S412ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventár:
5842 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804190
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD60N10S412ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
60A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12.2mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 46µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2470 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
94W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD60N10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD60N10S412ATMA1-DG
448-IPD60N10S412ATMA1DKR
448-IPD60N10S412ATMA1CT
448-IPD60N10S412ATMA1TR
INFINFIPD60N10S412ATMA1
SP001102936
2156-IPD60N10S412ATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF100P218XKMA1
MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
IRFH4209DTRPBF
MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
IRF7707GTRPBF
MOSFET P-CH 20V 7A 8TSSOP
