Výrobca Číslo produktu:
IPD60R3K3C6ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD60R3K3C6ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 1.7A (Tc) 18.1W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
4490 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803158
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD60R3K3C6ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
1.7A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3.3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 40µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
4.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
93 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
18.1W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD60R
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD60R3K3C6ATMA1DKR
IPD60R3K3C6ATMA1CT
2156-IPD60R3K3C6ATMA1
SP001117718
INFINFIPD60R3K3C6ATMA1
IPD60R3K3C6ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP042N03LGHKSA1
MOSFET N-CH 30V 70A TO220-3
IRFS4310TRLPBF
MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK
IRFHM4234TRPBF
MOSFET N-CH 25V 20A PQFN
