IPD60R600C6ATMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD60R600C6ATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD60R600C6ATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

9634 Ks Nové Originálne Na Sklade
12847971
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD60R600C6ATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
7.3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 200µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
440 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD60R

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
INFINFIPD60R600C6ATMA1
IPD60R600C6ATMA1-DG
IPD60R600C6ATMA1TR
SP001117726
IPD60R600C6ATMA1DKR
IPD60R600C6ATMA1CT
2156-IPD60R600C6ATMA1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
FCD850N80Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
15910
ČÍSLO DIELU
FCD850N80Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.96
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STD10NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
6369
ČÍSLO DIELU
STD10NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FCD600N60Z
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
16467
ČÍSLO DIELU
FCD600N60Z-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.77
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
STD11NM65N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4162
ČÍSLO DIELU
STD11NM65N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.45
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK9P65W,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
TK9P65W,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.73
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

BS170-D27Z

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

alpha-and-omega-semiconductor

AOD418G

MOSFET N-CH 30V 13.5A/36A TO252

infineon-technologies

BSS340NWH6327XTSA1

SMALL SIGNAL+N-CH

onsemi

FQPF6N80CT

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO220F