IPD65R380C6ATMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD65R380C6ATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD65R380C6ATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 10.6A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

12802899
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD65R380C6ATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
10.6A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
380mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 320µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
710 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD65R380

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP001117734
IPD65R380C6ATMA1TR
IPD65R380C6ATMA1DKR
IPD65R380C6ATMA1CT
2156-IPD65R380C6ATMA1
IPD65R380C6ATMA1-DG
INFINFIPD65R380C6ATMA1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IPD65R225C7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3863
ČÍSLO DIELU
IPD65R225C7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.04
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
SIHD9N60E-GE3
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
SIHD9N60E-GE3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.74
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
TK380P65Y,RQ
VÝROBCA
Toshiba Semiconductor and Storage
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2188
ČÍSLO DIELU
TK380P65Y,RQ-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.64
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD60R360P7ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7000
ČÍSLO DIELU
IPD60R360P7ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.54
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD65R380E6ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
4998
ČÍSLO DIELU
IPD65R380E6ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.79
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPI80N06S207AKSA2

MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3

infineon-technologies

IPD80R2K0P7ATMA1

MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

infineon-technologies

IPF05N03LA G

MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3

infineon-technologies

IPP120N08S404AKSA1

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3