Výrobca Číslo produktu:
IPD70N10S3L12ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD70N10S3L12ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventár:
4792 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800466
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD70N10S3L12ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Not For New Designs
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.5mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 83µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
5550 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD70
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD70N10S3L-12-DG
SP000261250
IPD70N10S3L-12
IPD70N10S3L12ATMA1CT
IPD70N10S3L-12DKR-DG
IPD70N10S3L-12TR
IPD70N10S3L12
IPD70N10S3L-12CT
IPD70N10S3L12ATMA1DKR
IPD70N10S3L-12DKR
IPD70N10S3L-12CT-DG
IPD70N10S3L-12TR-DG
IPD70N10S3L12ATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD100N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5739
ČÍSLO DIELU
STD100N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPD70N10S3L12ATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPD70N10S3L12ATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.97
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA90R800C3XKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO220-FP
IPI06N03LA
MOSFET N-CH 25V 50A TO262-3
IPB60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A D2PAK
