IPD70P04P409ATMA2
Výrobca Číslo produktu:

IPD70P04P409ATMA2

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD70P04P409ATMA2-DG

Popis:

MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 73A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

Inventár:

5108 Ks Nové Originálne Na Sklade
12948684
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD70P04P409ATMA2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS®-P2
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
73A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 120µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
75W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD70

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP002325768
448-IPD70P04P409ATMA2TR
448-IPD70P04P409ATMA2DKR
448-IPD70P04P409ATMA2CT

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
diodes

DMNH4011SK3-13

MOSFET N-CH 40V 50A TO252

diodes

DMN2500UFB4-7B

MOSFET N-CH X2-DFN1006-3

vishay-siliconix

SIJA74DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK

vishay-siliconix

SIJH112E-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK