Výrobca Číslo produktu:
IPD70P04P409ATMA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD70P04P409ATMA2-DG
Popis:
MOSFET P-CH 40V 73A TO252-3
Podrobný popis:
P-Channel 40 V 73A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventár:
5108 Ks Nové Originálne Na Sklade
12948684
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD70P04P409ATMA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS®-P2
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
40 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
73A (Tc)
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
8.9mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 120µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4810 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
75W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-313
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD70
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
SP002325768
448-IPD70P04P409ATMA2TR
448-IPD70P04P409ATMA2DKR
448-IPD70P04P409ATMA2CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
DMNH4011SK3-13
MOSFET N-CH 40V 50A TO252
DMN2500UFB4-7B
MOSFET N-CH X2-DFN1006-3
SIJA74DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 24A/81.2A PPAK
