Výrobca Číslo produktu:
IPD78CN10NGATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD78CN10NGATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 13A (Tc) 31W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
14157 Ks Nové Originálne Na Sklade
12804581
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD78CN10NGATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
78mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 12µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
716 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
31W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD78CN10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD78CN10NGATMA1-DG
IPD78CN10NGATMA1TR
SP001127814
IPD78CN10NGATMA1CT
2156-IPD78CN10NGATMA1
IPD78CN10NGATMA1DKR
INFINFIPD78CN10NGATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFC4227EB
MOSFET N-CH WAFER
IRF3717TRPBF-1
MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
IRF6201PBF
MOSFET N-CH 20V 27A 8SO
