Výrobca Číslo produktu:
IPD80R2K4P7ATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD80R2K4P7ATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2.5A (Tc) 22W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventár:
2421 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803344
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD80R2K4P7ATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 40µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
150 pF @ 500 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
22W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD80R2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD80R2K4P7ATMA1TR
IPD80R2K4P7ATMA1CT
IFEINFIPD80R2K4P7ATMA1
2156-IPD80R2K4P7ATMA1
SP001644284
IPD80R2K4P7ATMA1DKR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STD4LN80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2485
ČÍSLO DIELU
STD4LN80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPC60R380E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE
IPP90N06S4L04AKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
IPD60R600P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3
