Výrobca Číslo produktu:
IPD80R2K7C3AATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventár:
4180 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803727
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPD80R2K7C3AATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
800 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.9V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
290 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
42W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
TO-252AA (DPAK)
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD80R2
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
2,500
Iné mená
INFINFIPD80R2K7C3AATMA1
2156-IPD80R2K7C3AATMA1
SP001065818
448-IPD80R2K7C3AATMA1TR
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR
448-IPD80R2K7C3AATMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPA65R380E6XKSA1
MOSFET N-CH 650V 10.6A TO220-FP
IRF1324PBF
MOSFET N-CH 24V 195A TO220AB
IPZ40N04S5L7R4ATMA1
MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
