IPD90N06S405ATMA2
Výrobca Číslo produktu:

IPD90N06S405ATMA2

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD90N06S405ATMA2-DG

Popis:

MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

Inventár:

12801157
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD90N06S405ATMA2 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 60µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
6500 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
107W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3-11
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD90

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
448-IPD90N06S405ATMA2TR
IPD90N06S405ATMA2-DG
2156-IPD90N06S405ATMA2
SP001028730
448-IPD90N06S405ATMA2DKR
448-IPD90N06S405ATMA2CT
INFINFIPD90N06S405ATMA2

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPL65R190E6AUMA1

MOSFET N-CH 650V 20.2A 4VSON

infineon-technologies

IPD053N08N3GBTMA1

MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3

infineon-technologies

IPB80N06S3-07

MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3

infineon-technologies

IPB25N06S3-25

MOSFET N-CH 55V 25A TO263-3