IPD95R450P7ATMA1
Výrobca Číslo produktu:

IPD95R450P7ATMA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPD95R450P7ATMA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 950V 14A TO252-3
Podrobný popis:
N-Channel 950 V 14A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

Inventár:

2174 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803488
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPD95R450P7ATMA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
950 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 360µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1053 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO252-3
Balenie / puzdro
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Základné číslo produktu
IPD95R450

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
2,500
Iné mená
IPD95R450P7ATMA1TR
SP001792318
IPD95R450P7ATMA1CT
IPD95R450P7ATMA1DKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPP80N06S3L-08

MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

infineon-technologies

IRF3305PBF

MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

infineon-technologies

IRFI530NPBF

MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP

infineon-technologies

IPL60R385CPAUMA1

MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON