Výrobca Číslo produktu:
IPG20N06S415AATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPG20N06S415AATMA1-DG
Popis:
MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON
Podrobný popis:
Mosfet Array 60V 20A 50W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventár:
2 Ks Nové Originálne Na Sklade
12802769
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPG20N06S415AATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, FET, MOSFET pole
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Cut Tape (CT)
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigurácia
2 N-Channel (Dual)
Funkcia FET
-
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20A
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
29nC @ 10V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2260pF @ 25V
Výkon - Max
50W
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Surface Mount, Wettable Flank
Balenie / puzdro
8-PowerVDFN
Balík zariadení dodávateľa
PG-TDSON-8-10
Základné číslo produktu
IPG20N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
IPG20N06S415AATMA1-DG
INFINFIPG20N06S415AATMA1
SP001265578
2156-IPG20N06S415AATMA1
IPG20N06S415AATMA1CT
IPG20N06S415AATMA1DKR
IPG20N06S415AATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPG20N06S415ATMA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
3754
ČÍSLO DIELU
IPG20N06S415ATMA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.47
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSO615CGHUMA1
MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8DSO
IPG20N10S4L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
IRF7379QTRPBF
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC