Výrobca Číslo produktu:
IPI020N06NAKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI020N06NAKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 29A/120A TO262
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 29A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventár:
12804407
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI020N06NAKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
29A (Ta), 120A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 143µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
7800 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 214W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3-1
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI02N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
INFINFIPI020N06NAKSA1
IPI020N06N-DG
2156-IPI020N06NAKSA1
SP000962132
IPI020N06N
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPI086N10N3GXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
270
ČÍSLO DIELU
IPI086N10N3GXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.69
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFP1405PBF
MOSFET N-CH 55V 95A TO247AC
IRF6662TR1PBF
MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
IRFB5620PBF
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB
