Výrobca Číslo produktu:
IPI029N06NAKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI029N06NAKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 24A/100A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 24A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
61 Ks Nové Originálne Na Sklade
12805752
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI029N06NAKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
24A (Ta), 100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.8V @ 75µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4100 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
3W (Ta), 136W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI029
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
IPI029N06N
SP000962134
2156-IPI029N06NAKSA1
INFINFIPI029N06NAKSA1
IPI029N06N-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFR5305CPBF
MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
IPD50R950CEAUMA1
CONSUMER
IPL60R365P7AUMA1
MOSFET N-CH 600V 10A 4VSON
