Výrobca Číslo produktu:
IPI25N06S3-25
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI25N06S3-25-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 25A (Tc) 48W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
12804376
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI25N06S3-25 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
25.1mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 20µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1862 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
48W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI25N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
SP000087997
IPI25N06S325X
IPI25N06S325XK
IPI25N06S3-25IN
IPI25N06S3-25-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRFZ44ZLPBF
VÝROBCA
International Rectifier
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1635
ČÍSLO DIELU
IRFZ44ZLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.96
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP80N06S209AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
IRFH8318TRPBF
MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN