Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPI50N10S3L16AKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 50A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
Online RFQ
12805535
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI50N10S3L16AKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
4.5V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
15.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
2.4V @ 60µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4180 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
100W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI50N10
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPI50N10S3L16AKSA1-DG
Technické listy
IPI50N10S3L16AKSA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
IPI50N10S3L-16-DG
SP000407120
INFINFIPI50N10S3L16AKSA1
2156-IPI50N10S3L16AKSA1
IPI50N10S3L-16
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IRF540ZLPBF
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
862
ČÍSLO DIELU
IRF540ZLPBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.53
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP70N10S3L12AKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
401
ČÍSLO DIELU
IPP70N10S3L12AKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.21
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRF2804STRL-7P
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
IPP80N06S2H5AKSA1
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
IRFSL7430PBF
MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
IPS80R2K0P7AKMA1
MOSFET N-CH 800V 3A TO251-3