Výrobca Číslo produktu:
IPI60R190C6XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI60R190C6XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
495 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800676
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI60R190C6XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
600 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
20.2A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 630µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1400 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
151W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI60R190
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
IFEINFIPI60R190C6XKSA1
IPI60R190C6
SP000660618
IPI60R190C6-DG
2156-IPI60R190C6XKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STI24N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1180
ČÍSLO DIELU
STI24N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.07
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STI20N65M5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1000
ČÍSLO DIELU
STI20N65M5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.27
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STI24NM60N
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
981
ČÍSLO DIELU
STI24NM60N-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.27
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BSP123L6327HTSA1
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
IPN60R3K4CEATMA1
MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
BSS169H6906XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
