Výrobca Číslo produktu:
IPI70N10S312AKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI70N10S312AKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventár:
12803803
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
QHeQ
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI70N10S312AKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
70A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
11.6mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 83µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4355 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
125W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI70N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
SP000407124
2156-IPI70N10S312AKSA1
IPI70N10S3-12-DG
INFINFIPI70N10S312AKSA1
IPI70N10S3-12
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPB70N10S312ATMA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
764
ČÍSLO DIELU
IPB70N10S312ATMA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.17
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFU4105
MOSFET N-CH 55V 27A IPAK
IRFR7746TRPBF
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
IPD060N03LGBTMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3