Výrobca Číslo produktu:
IPI90R1K2C3XKSA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPI90R1K2C3XKSA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO262-3
Podrobný popis:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 83W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventár:
12800363
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPI90R1K2C3XKSA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
900 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
5.1A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 310µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
710 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
83W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO262-3-1
Balenie / puzdro
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Základné číslo produktu
IPI90R1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
SP002548888
2156-IPI90R1K2C3XKSA2-448
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPI90R500C3XKSA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
195
ČÍSLO DIELU
IPI90R500C3XKSA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.49
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IAUA200N04S5N010AUMA1
MOSFET N-CH 40V 200A 5HSOF
IAUT300N08S5N012ATMA2
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
IPI100N12S305AKSA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
