Výrobca Číslo produktu:
IPL65R160CFD7AUMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPL65R160CFD7AUMA1-DG
Popis:
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 17A (Tc) 98W (Tc) Surface Mount PG-VSON-4
Inventár:
12974552
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPL65R160CFD7AUMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
17A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
160mOhm @ 6.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 320µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1283 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
98W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-VSON-4
Balenie / puzdro
4-PowerTSFN
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
448-IPL65R160CFD7AUMA1DKR
448-IPL65R160CFD7AUMA1TR
SP005559258
448-IPL65R160CFD7AUMA1CT
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
2A (4 Weeks)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
NDS7002A-F169
MOSFET N-CH SOT23
NVTYS010N06CLTWG
T6 60V N-CH LL IN LFPAK33
AO3496
MOSFET N-CH SOT-23
