Výrobca Číslo produktu:
IPL65R1K5C6SATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPL65R1K5C6SATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 3A THIN-PAK
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 3A (Tc) 26.6W (Tc) Surface Mount PG-TSON-8-2
Inventár:
12799981
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
gEYu
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPL65R1K5C6SATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ C6
Stav produktu
Last Time Buy
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 100µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
225 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
26.6W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-TSON-8-2
Balenie / puzdro
8-PowerTDFN
Základné číslo produktu
IPL65R1
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
5,000
Iné mená
SP001163086
INFINFIPL65R1K5C6SATMA1
2156-IPL65R1K5C6SATMA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
GC11N65D5
VÝROBCA
Goford Semiconductor
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
GC11N65D5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.65
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPI50R299CPXKSA1
MOSFET N-CH 500V 12A TO262-3
BSS119E6327
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
IPN60R360P7SATMA1
MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223
