Výrobca Číslo produktu:
IPN70R750P7SATMA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPN70R750P7SATMA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
Podrobný popis:
N-Channel 700 V 6.5A (Tc) 6.7W (Tc) Surface Mount PG-SOT223
Inventár:
14239 Ks Nové Originálne Na Sklade
12801229
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPN70R750P7SATMA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
CoolMOS™ P7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
700 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
6.5A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 70µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
306 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
6.7W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT223
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA
Základné číslo produktu
IPN70R750
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
3,000
Iné mená
IPN70R750P7SATMA1-DG
SP001664912
IPN70R750P7SATMA1DKR
2156-IPN70R750P7SATMA1TR
IPN70R750P7SATMA1CT
IPN70R750P7SATMA1TR
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
IPA60R460CEXKSA1
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO220-FP
IPD65R950CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 3.9A TO252-3