Výrobca Číslo produktu:
IPP030N10N3GXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP030N10N3GXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
1863 Ks Nové Originálne Na Sklade
12800396
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP030N10N3GXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
6V, 10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 275µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
14800 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP030
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
IPP030N10N3 G
448-IPP030N10N3GXKSA1
IPP030N10N3G
2156-IPP030N10N3GXKSA1
IPP030N10N3 G-DG
SP000680768
IPP030N10N3GXKSA1-DG
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPD15N06S2L64ATMA1
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3
IPB031N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
IPB80N06S2L-H5
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3