Výrobca Číslo produktu:
IPP040N06N3GHKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP040N06N3GHKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 60 V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12801070
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP040N06N3GHKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
60 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
90A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 90µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
98 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
11000 pF @ 30 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
188W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP040N
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
SP000398032
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPP040N06N3GXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
145
ČÍSLO DIELU
IPP040N06N3GXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.84
Typ substitútu
Direct
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPB096N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 35A D2PAK
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
IPD50P03P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-3