IPP05CN10NGXKSA1
Výrobca Číslo produktu:

IPP05CN10NGXKSA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPP05CN10NGXKSA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole PG-TO220-3

Inventár:

12800090
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPP05CN10NGXKSA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
100 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
5.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
181 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
12000 pF @ 50 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
300W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP05CN10

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
500
Iné mená
IPP05CN10NGXKSA1-DG
SP000680814
IPP05CN10NGIN
IPP05CN10N G
IPP05CN10NG
IPP05CN10NGXK
IPP05CN10N G-DG
IPP05CN10NGIN-DG
IPP05CN10NGX
448-IPP05CN10NGXKSA1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
PSMN4R6-60PS,127
VÝROBCA
Nexperia USA Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
7843
ČÍSLO DIELU
PSMN4R6-60PS,127-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.15
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
FDP047N10
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
917
ČÍSLO DIELU
FDP047N10-DG
CENA ZA JEDNOTKU
2.08
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF100B201
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
2527
ČÍSLO DIELU
IRF100B201-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.56
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
PSMN009-100P,127
VÝROBCA
NXP Semiconductors
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
291
ČÍSLO DIELU
PSMN009-100P,127-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.44
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP150N10F7
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
494
ČÍSLO DIELU
STP150N10F7-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.23
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IMZ120R060M1HXKSA1

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

infineon-technologies

IPA95R1K2P7XKSA1

MOSFET N-CH 950V 6A TO220

infineon-technologies

BUZ73LHXKSA1

MOSFET N-CH 200V 7A TO220-3

infineon-technologies

BSO300N03S

MOSFET N-CH 30V 5.7A 8DSO