Domov
Produkty
Výrobcovia
O DiGi
Kontaktujte nás
Blogy a príspevky
Dopyt/cena
Slovakia
Prihlásiť sa
Selektívny jazyk
Aktuálny jazyk vašej voľby:
Slovakia
Prepínač:
Angličtina
Európa
Veľká Británia
Francúzsko
Španielsko
Turecko
Moldavsko
Litva
Nórsko
Nemecko
Portugalsko
Slovensko
ltaly
Fínsko
Ruština
Bulharsko
Dánsko
Estónsko
Poľsko
Ukrajina
Slovinsko
Čeština
Gréčtina
Chorvátsko
Izrael
Srbsko
Bielorusko
Holandsko
Švédsko
Čierna Hora
Baskičtina
Island
Bosna
Maďarčina
Rumunsko
Rakúsko
Belgicko
Írsko
Ázia / Tichomorie
Čína
Vietnam
Indonézia
Thajsko
Laos
Filipínčina
Malajzia
Kórea
Japonsko
Hongkong
Taiwan
Singapur
Pakistan
Saudská Arábia
Katar
Kuvajt
Kambodža
Mjanmarsko
Afrika, India a Blízky východ
Spojené arabské emiráty
Tadžikistan
Madagaskar
India
Irán
DR Kongo
Južná Afrika
Egypt
Keňa
Tanzánia
Ghana
Senegal
Maroko
Tunisko
Južná Amerika / Oceánia
Nový Zéland
Angola
Brazília
Mozambik
Peru
Kolumbia
Čile
Venezuela
Ekvádor
Bolívia
Uruguaj
Argentína
Paraguaj
Austrália
Severná Amerika
Spojené štáty americké
Haiti
Kanada
Kostarika
Mexiko
O DiGi
O nás
O nás
Naše certifikácie
DiGi Úvod
Prečo DiGi
Politika
Kvalitná politika
Podmienky používania
Vyhovuje požiadavkám RoHS
Proces vrátenia
Zdroje
Kategórie produktov
Výrobcovia
Blogy a príspevky
Služby
Záruka kvality
Spôsob platby
Globálna preprava
Cenník dopravy
Často kladené otázky
Výrobca Číslo produktu:
IPP60R250CPXKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP60R250CPXKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 104W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
1750 Ks Nové Originálne Na Sklade
12803296
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
*
Spoločnosť
*
Kontaktné meno
*
Telefón
*
E-mail
Doručacia adresa
Správa
(
*
) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP60R250CPXKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
12A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
3.5V @ 440µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1200 pF @ 100 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
104W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP60R250
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
IPP60R250CPXKSA1-DG
Technické listy
IPP60R250CPXKSA1
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
IPP60R250CP
IPP60R250CPIN-DG
IPP60R250CPIN
IPP60R250CPXK
IPP60R250CPAKSA1
SP000358136
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP13N80K5
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
312
ČÍSLO DIELU
STP13N80K5-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.60
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
IPP60R180P7XKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
IPP60R180P7XKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.05
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP18N60M2
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
470
ČÍSLO DIELU
STP18N60M2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.87
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5605
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFBC30APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1483
ČÍSLO DIELU
IRFBC30APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IPS20N03L G
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
IPB093N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A D2PAK
IRFU1010ZPBF
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
IRFS7530TRLPBF
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK