Výrobca Číslo produktu:
IPP65R050CFD7AAKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP65R050CFD7AAKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 45A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 45A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12978134
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP65R050CFD7AAKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
*
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
45A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
50mOhm @ 24.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4.5V @ 1.24mA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
102 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
4975 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
227W (Tc)
Prevádzková teplota
-40°C ~ 150°C (TJ)
Trieda
Automotive
Kvalifikácia
AEC-Q101
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP65R050
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
448-IPP65R050CFD7AAKSA1
SP003793132
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
IPWS65R050CFD7AXKSA1
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
81
ČÍSLO DIELU
IPWS65R050CFD7AXKSA1-DG
CENA ZA JEDNOTKU
6.44
Typ substitútu
Parametric Equivalent
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
BUK7611-55A,118
NOW NEXPERIA BUK7611-55A - 75A,
IPW65R099CFD7AXKSA1
MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3-41
AON6104FH
MOSFET N-CH 8DFN 5X6
