Výrobca Číslo produktu:
IPP65R225C7XKSA1
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP65R225C7XKSA1-DG
Popis:
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 63W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventár:
12805018
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP65R225C7XKSA1 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
Tube
Seriál
CoolMOS™ C7
Stav produktu
Active
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
650 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
11A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 240µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
996 pF @ 400 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
63W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP65R225
Technické údaje a dokumenty
HTML dátový list
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
50
Iné mená
ROCINFIPP65R225C7XKSA1
SP000929432
2156-IPP65R225C7XKSA1
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
STP20NM60FD
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
773
ČÍSLO DIELU
STP20NM60FD-DG
CENA ZA JEDNOTKU
3.16
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRFZ48VPBF
MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB
IPAW60R360P7SE8228XKSA1
MOSFET N-CH 600V 9A TO220
IRF3205LPBF
MOSFET N-CH 55V 110A TO262
