IPP77N06S212AKSA1
Výrobca Číslo produktu:

IPP77N06S212AKSA1

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

IPP77N06S212AKSA1-DG

Popis:

MOSFET N-CH 55V 77A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 77A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1

Inventár:

Online RFQ
12803621
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

IPP77N06S212AKSA1 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
77A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
12mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 93µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
1770 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
158W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-1
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP77N

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
IPP77N06S212AKSA1-DG
Technické listy
IPP77N06S212AKSA1

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
500
Iné mená
2156-IPP77N06S212AKSA1
IPP77N06S2-12-DG
SP000218172
IPP77N06S2-12
INFINFIPP77N06S212AKSA1

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatívne modely

ČÍSLO DIELU
IRF830APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
5605
ČÍSLO DIELU
IRF830APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IRFBC30APBF
VÝROBCA
Vishay Siliconix
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1483
ČÍSLO DIELU
IRFBC30APBF-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.19
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
IPP77N06S212AKSA2
VÝROBCA
Infineon Technologies
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
500
ČÍSLO DIELU
IPP77N06S212AKSA2-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.98
Typ substitútu
Direct
ČÍSLO DIELU
HUF75339P3
VÝROBCA
onsemi
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
828
ČÍSLO DIELU
HUF75339P3-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.76
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Súvisiace produkty
infineon-technologies

IPD60R450E6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO252-3

infineon-technologies

IPP60R360P7XKSA1

MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3

infineon-technologies

IPP65R310CFDXKSA2

MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3

infineon-technologies

IRFS5620PBF

MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK