Výrobca Číslo produktu:
IPP80N06S209AKSA2
Product Overview
Výrobca:
Infineon Technologies
Číslo dielu:
IPP80N06S209AKSA2-DG
Popis:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
Podrobný popis:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 190W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
Inventár:
12806231
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
Minimálne 1
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ
IPP80N06S209AKSA2 Technické špecifikácie
Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
OptiMOS™
Stav produktu
Obsolete
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
55 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
9.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 125µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
2360 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
190W (Tc)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ montáže
Through Hole
Balík zariadení dodávateľa
PG-TO220-3-1
Balenie / puzdro
TO-220-3
Základné číslo produktu
IPP80N06
Technické údaje a dokumenty
Technické listy
Dodatočné informácie
Štandardné balenie
500
Iné mená
IFEINFIPP80N06S209AKSA2
2156-IPP80N06S209AKSA2
SP001061400
Klasifikácia životného prostredia a exportu
Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatívne modely
ČÍSLO DIELU
AOT2610L
VÝROBCA
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
0
ČÍSLO DIELU
AOT2610L-DG
CENA ZA JEDNOTKU
0.59
Typ substitútu
MFR Recommended
ČÍSLO DIELU
STP75NF75
VÝROBCA
STMicroelectronics
MNOŽSTVO DOSTUPNÉ
1998
ČÍSLO DIELU
STP75NF75-DG
CENA ZA JEDNOTKU
1.10
Typ substitútu
MFR Recommended
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
IRLZ34NSPBF
MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
IRFB7734PBF
MOSFET N-CH 75V 183A TO220AB
IRFS4127PBF
MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK